等離子體輔助電子束蒸發沉積TiN薄膜

等離子體輔助電子束蒸發沉積TiN薄膜

全部作者： 張茂平 陳俊芳 史磊 符斯列 賴秀瓊 黃孟祥 張洪賓 第1作者單位： 華南師范大學物電學院 論文摘要： 利用朗繆爾靜電雙探針診斷了電子束蒸發鍍膜裝置反應室等離子體密度，分析了其分布規律，討論了氣壓和射頻功率對其的影響，獲得了優化的等離子體工藝條件. 采用TCP等離子體輔助電子束蒸發沉積技術，在室溫條件下玻璃基片上制備了納米結構的氮化鈦薄膜. 運用X射線衍射儀和臺階儀對該薄膜進行表征.結果表明：反應室內靠近離子源的等離子體密度大且分布不均勻，遠離離子源的等離子體的密度小且趨于均勻;薄膜沉積速率高達47nm/min,TiN薄膜呈晶態且具有（111）擇優取向. 關鍵詞： 朗繆爾靜電雙探針；電子束蒸發鍍膜；TiN薄膜 (瀏覽全文) 發表日期： 2006年09月22日 同行評議：

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